DRAM 合约价连续多个季度环比大涨，HBM 产能挤占加剧传统存储缺货。面对可能延续到 2028 年的供应紧张，采购端可以现在做什么。
2026 年的存储市场已经没有「周期底部」的叙事。WSTS 数据显示，2026 上半年全球半导体市场 7020 亿美元、同比增长 102%，存储是最大引擎。对 OEM 与 EMS 的采购团队来说，真正的问题是：这轮涨价何时到头，BOM 里那些常规 DRAM、eMMC、NAND Flash 该怎么管。
涨价到什么程度了
- 进入 2026 年后，DRAM 合约价环比涨幅普遍超过 50%，部分机构的季度预测一度上调至 90% 以上；
- TrendForce 预测 2026 年二季度 DRAM 合约价环比上涨 58%–63%，NAND Flash 上涨 70%–75%；
- Bernstein 在 2026 年 9 月的报告中预计，常规 DRAM 与 NAND 均价下半年仍有 15%–20% 的上行空间。
涨价的根源：HBM 挤占常规产能
这轮存储缺货的结构性原因，是 AI 数据中心对 HBM 的争夺。原厂把晶圆与封装产能优先切给 HBM3E 及后续产品，常规 DRAM 与 NAND 的供给被持续压缩；叠加成熟制程扩产保守、下游库存回补，供需缺口短期难以弥合。SK 海力士在 2026 年展望中直接称之为「HBM 主导的存储超级周期」，多家机构认为供应紧张可能延续至 2028 年。
采购端的四个动作
- 锁定量产机型的存储物料清单，按 13 周滚动需求重估缺口，优先签框架协议而非零散现货；
- 对 EOL 风险高的料号（DDR3、LPDDR4 等老制程产品）提前做最后一次采购测算，避免涨价与停产双重冲击；
- 建立替代料数据库，让固件团队提前验证第二来源；
- 反向利用周期：高价阶段恰是处置呆滞 DRAM、NAND 的窗口，现货市场流动性最好。
芯誉达电子持续跟踪存储及全品类元器件的供应与价格走势，为 OEM、EMS 客户提供紧缺物料寻源、EOL 物料采购与呆滞库存盘活服务。如果贵司正被存储缺料或库存资金占用困扰，欢迎与我们沟通。