2026 年 4 月，安森美宣布与蔚来扩大战略合作，第三代 SiC MOSFET 平台 EliteSiC M3e 将支持下一代 900V 高压平台，提升充电速度与续航。
2026 年 4 月 27 日，安森美（onsemi）宣布与蔚来扩大战略合作，围绕下一代 900V 高压纯电平台深化 EliteSiC 碳化硅器件的供应合作。EliteSiC M3e 是安森美第三代 SiC MOSFET 平台，2025 年底还推出了 T2PAK 顶散热封装版本，方便大功率场景的散热设计。
EliteSiC 平台的技术要点
- M3e 面向牵引逆变器、车载充电机与 DC-DC 等主驱与高压场景，重点降低能量损耗；
- 1200V M3S 系列在硬开关应用中较同级产品降低最多 20% 的功耗，已通过车规认证，覆盖最高 22 kW 的 OBC 与高压转低压 DC-DC；
- T2PAK 顶散热封装兼顾行业标准尺寸与更好的散热路径。
行业含义
800V 已是中国中高端纯电的主流选择，900V 平台的出现意味着主驱 SiC 的电压等级、封装散热与驱动设计同步升级。对电驱与充电系统方案商而言，SiC 器件的产能与交期在 2026 年依然是稀缺资源：头部车企选择与原厂签长期协议，中小客户的现货与分配渠道更需要提前布局。
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