Nexperia 扩充 650V GaN FET 阵容，新增 35/50/70 毫欧三档

2026 年 6 月，Nexperia 将 650V GaN FET 产品线扩展至 35/50/70 mΩ 档位，并提供 TO-247-3、TO-247-4、TOLL、TOLT 等标准封装，瞄准高功率工业电源。

2026 年 6 月 10 日，Nexperia 宣布扩展其 650V GaN FET 产品组合，新增 35 mΩ、50 mΩ、70 mΩ 三个导通电阻档位，覆盖 TO-247-3、TO-247-4、TOLT 与 TOLL 等行业标准封装。35 mΩ 与 70 mΩ 版本当时即已开始供货，50 mΩ 档位按计划在 2026 年三季度上市。

技术路线与产品定位

  • 采用级联（cascode）结构：高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 组合，常关型输出，栅极驱动与硅超结 MOSFET 接近，替换评估门槛低；
  • 新增的大封装面向服务器电源、光伏逆变器、充电桩功率模块等高功率场景，补齐此前以贴片封装为主的布局；
  • 典型型号如 GAN041-650WSB（650V、35 mΩ、TO-247）。

为什么值得写入选型清单

GaN 在 650V 段的渗透正从消费快充向工业电源与数据中心扩散，标准封装意味着可以与硅超结器件做引脚兼容的对比评估。对采购来说，这类新品在爬坡期的交期与批次稳定性值得提前确认；同时，硅超结 MOSFET 的长交期压力，也让 GaN 成为降本替代评估的现实选项。

如需 Nexperia GaN FET 的比价、现货或替代方案，欢迎通过芯誉达提交 RFQ。